СТБ BS IEC 60747-7-5-2005

Полупроводниковые приборы. Дискретные приборы - биполярные транзисторы для силовых коммутационных приложений. Оригинальный стандарт BS IEC 60747-7-5-2005 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу

Статус: Withdrawn

6 000 руб.

Подробности

СТБ BS IEC 60747-8-2010 + A1-2021

Полупроводниковые приборы. Дискретные приборы - полевые транзисторы. Оригинальный стандарт BS IEC 60747-8-2010 + A1-2021 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу

Статус: Действующий

6 000 руб.

Подробности

СТБ BS IEC 60747-8-4-2004

Дискретные полупроводниковые приборы - полевые транзисторы на основе металлооксидного полупроводника (MOSFET) для силовых коммутационных приложений. Оригинальный стандарт BS IEC 60747-8-4-2004 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу

Статус: Действующий

6 000 руб.

Подробности

СТБ BS IEC 60747-9-2019

Полупроводниковые приборы - дискретные приборы. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). Оригинальный стандарт BS IEC 60747-9-2019 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу

Статус: Действующий

6 000 руб.

Подробности

СТБ BS IEC 60748-1-2002

Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы - общие сведения. Оригинальный стандарт BS IEC 60748-1-2002 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу

Статус: Действующий

6 000 руб.

Подробности

СТБ BS IEC 60748-2-11-1999

Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Цифровые интегральные схемы - подробная спецификация для однополярной интегральной схемы, электрически стираемой и программируемой постоянной памяти. Оригинальный стандарт BS IEC 60748-2-11-1999 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу

Статус: Действующий

6 000 руб.

Подробности

СТБ PDF