IEC 63229-2021 PDF
Название на английском:
St IEC 63229-2021
Название на русском:
Ст IEC 63229-2021
Оригинальный стандарт IEC 63229-2021 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу
Полное наименование и описание
Стандарт IEC 63229:2021 — "Semiconductor devices — Classification of defects in gallium nitride epitaxial film on silicon carbide substrate". Документ даёт рекомендации по определению и классификации дефектов в эпитаксиальной плёнке GaN, выращенной на подложке SiC, с примерами, схемами и микроскопическими изображениями для иллюстрации типов дефектов.
Аннотация
IEC 63229:2021 систематизирует подход к идентификации и описанию дефектов в as‑grown GaN‑эпитаксиальной плёнке на подложке SiC. Стандарт ориентирован на визуальное и микроскопическое распознавание дефектов (оптическая микроскопия, TEM и т.д.), содержит типовые иллюстрации и пояснения и не охватывает дефекты, возникшие после последующих технологических процессов.
Общая информация
- Статус: Международный стандарт (опубликован, действующий).
- Дата публикации: 7 апреля 2021 г.
- Организация-издатель: IEC (International Electrotechnical Commission), технический комитет TC 47 — Semiconductor devices.
- ICS / категории: 31.080.99 (полупроводниковые приборы / сопутствующие категории).
- Редакция / версия: Издание 1.0 (2021).
- Количество страниц: 21 (PDF‑версия стандартной публикации).
Источник ключевых данных: основная карточка публикации IEC и её распространители.
Область применения
Стандарт применим к оценке и классификации дефектов, присутствующих в исходно выращенной эпитаксиальной плёнке GaN на SiC‑подложке. Он предназначен для использования при инспекции и документировании дефектов в лабораториях контроля качества, исследовательских центрах и при обмене информацией между производителями и поставщиками эпитаксиальных материалов. IEC 63229 не рассматривает дефекты, возникшие в результате дальнейших технологических операций после выращивания плёнки.
Ключевые темы и требования
- Классификация типов дефектов в as‑grown GaN на SiC (визуальные и микроскопические признаки).
- Описания и иллюстрации дефектов: схематические рисунки, оптические изображения и TEM‑микрофотографии для типичных случаев.
- Границы применения: только эпитаксиальная плёнка GaN на SiC, без учёта дефектов, вызванных последующими процессами.
- Единообразная терминология и обозначения для обмена данными между лабораториями и производителями.
- Рекомендации по документированию дефектов для целей контроля качества и исследований материалов.
Применение и пользователи
Пользователями стандарта являются производители и разработчики полупроводниковых структур на основе GaN/SiC, лаборатории по контролю качества и аналитике, исследовательские коллективы в области материаловедения и электронной компоненты, а также стандартизирующие и сертифицирующие организации, формирующие требования к качеству эпитаксиальных слоёв. Стандарт полезен при приёмке материалов, проведении сравнительной классификации дефектов и при подготовке технической документации.
Связанные стандарты
IEC 63229 относится к семейству документов по полупроводниковым приборам и эпитаксиальным материалам, выпускаемых TC 47. В качестве смежных можно рассматривать общие стандарты и технические отчёты по полупроводниковым приборам и методам анализа дефектов, а также национальные адаптации (например, BS IEC 63229:2021). При внедрении рекомендуется сверять требования с профильными стандартами по контролю качества и методикам микроскопии.
Ключевые слова
GaN, SiC, эпитаксиальная плёнка, дефекты, классификация дефектов, TEM, оптическая микроскопия, полупроводниковые приборы, эпитаксия.
FAQ
В: Что это за стандарт?
О: IEC 63229:2021 — международный стандарт, описывающий классификацию дефектов в эпитаксиальном слое GaN, выращенном на подложке SiC; содержит иллюстрации и описания типичных дефектов.
В: Что он регулирует?
О: Стандарт не вводит обязательных «регуляций», а даёт рекомендации и единообразную классификацию дефектов для использования в контроле качества и исследованиях; охватывает только дефекты as‑grown и исключает дефекты, появившиеся после технологических обработок.
В: Кто обычно использует?
О: Производители GaN/SiC структур, лаборатории материаловедения и контроля качества, исследовательские группы и стандартизирующие организации, обменивающиеся данными о дефектах эпитаксиальных плёнок.
В: Он актуален или заменён?
О: По состоянию на публикацию карточки стандарт опубликован в 2021 г. и считается действующим; дата устойчивости (stability date) указывается в карточке IEC и обычно отражает период, в течение которого стандарт не планируется пересматривать (в карточке IEC указана стабильность до 2031 г.). Рекомендуется перед использованием проверять актуальность в национальных органах по стандартизации.
В: Это часть серии?
О: Документ был подготовлен техническим комитетом TC 47 и тематически связан с другими публикациями по полупроводниковым приборам и эпитаксиальным материалам; однако IEC 63229 — самостоятельный стандарт, сфокусированный на классификации дефектов GaN на SiC.
В: Какие ключевые слова?
О: GaN, SiC, эпитаксия, дефекты, классификация, TEM, оптическая микроскопия, полупроводники.