IEC 63275-2-2022 PDF
Название на английском:
St IEC 63275-2-2022
Название на русском:
Ст IEC 63275-2-2022
Описание на русском:
Полупроводниковые приборы - Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния - Часть 2- Метод испытания биполярной деградации из-за работы основного диода. IEC 63275-2:2022-05(en-fr). Оригинальный стандарт IEC 63275-2-2022 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу
Описание на английском:
Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 2- Test method for bipolar degradation due to body diode operation. IEC 63275-2:2022-05(en-fr). Original standard IEC 63275-2-2022 in PDF full version. Additional info + preview on request
Статус документа:
Действующий
Формат:
Электронный (PDF)
Количество страниц:
24
Срок поставки (английская версия):
1 рабочий день
Срок поставки (русская версия):
3 рабочих дня(ей)
Артикул (SKU):
stiec08073
More technical details are being prepared for this document.