IEC 63275-1-2022 PDF
Название на английском:
St IEC 63275-1-2022
Название на русском:
Ст IEC 63275-1-2022
Описание на русском:
Полупроводниковые приборы - Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния - Часть 1- Метод испытания нестабильности температуры смещения. IEC 63275-1:2022-04(en-fr). Оригинальный стандарт IEC 63275-1-2022 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу
Описание на английском:
Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 1- Test method for bias temperature instability. IEC 63275-1:2022-04(en-fr). Original standard IEC 63275-1-2022 in PDF full version. Additional info + preview on request
Статус документа:
Действующий
Формат:
Электронный (PDF)
Количество страниц:
30
Срок поставки (английская версия):
1 рабочий день
Срок поставки (русская версия):
3 рабочих дня(ей)
Артикул (SKU):
stiec08072
More technical details are being prepared for this document.